首页> 外文会议>IMAPS Nordic Annual Conference >The Vertical Tunnelling Transistor
【24h】

The Vertical Tunnelling Transistor

机译:垂直隧道晶体管

获取原文

摘要

thinnest imaginable material. strongest material ever measured (theoretical limit). stiffest known material (stiffer than diamond). most stretchable crystal (up to 20% elastically). record thermal conductivity (outperforming diamond). highest current density at room T (million times of those in copper). highest intrinsic mobility (100 times more than in Si). conducts electricity in the limit of no electrons. lightest charge carriers (zero rest mass). longest mean free path at room T (micron range).
机译:最薄的可想象的材料。 有史以来最强大的材料(理论极限)。 最硬质材料(比金刚石更硬)。 最伸展的晶体(最多20%弹性)。 记录导热率(表现优于金刚石)。 房间T(铜百万次)的最高电流密度)。 最高的内在移动性(比Si超过100倍)。 在没有电子的极限下进行电。 最轻的电荷载体(零休息质量)。 房间T(微米范围)的最长平均自由路径。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号