LiF薄膜的介电特性及其在垂直构型有机晶体管中的应用

摘要

利用交流阻抗谱的方法,我们研究了单层LiF(120nm)薄膜的动态电学特性,提取出了其相关参数,得到其单位电容值为294nF/cm2,具有良好的绝缘性。进而,以LiF薄膜为介电层及Pentacene为活性层制备了垂直构型有机场效应晶体管并表征了其静态特性。在正栅压的情况下,源漏电流随正栅压的增加而增大,器件表现为p型增强型特性;在负栅压下,器件表现为n型增强型特性。适当增加LiF厚度或者在中间Al栅极与pentacene界面之间加入LiF薄层都能减小通过器件的漏电流,但并不能提高器件的“开/关”电流比.