Heavily phosphorus-doped; Czochralski silicon; Oxygen precipitation; Grown-in defects; Flow pattern defects; FPDs; Voids; Rapid thermal annealing;
机译:重掺杂磷的切克劳斯基硅中的微缺陷
机译:氧沉淀在磷掺杂的切克劳斯基硅中在磷化硅上非均相成核
机译:重掺Ge的直拉生长的p型硅晶体的内生缺陷和光伏特性
机译:重掺杂磷的切克劳斯基硅中的微缺陷
机译:磷从掺杂磷的硅通过场扩散到金刚石中,通过光激活增强了扩散。
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:直拉硅片中的微缺陷