首页> 外文OA文献 >Microdefects in Czochralski Silicon
【2h】

Microdefects in Czochralski Silicon

机译:直拉硅片中的微缺陷

摘要

Disertační práce se zabývá studiem defektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku legovaných bórem. Práce studuje vznik kruhových obrazců vrstevných chyb pozorovaných na povrchu křemíkových desek po oxidaci. Hlavním cílem práce je objasnit mechanismy vzniku pozorovaného rozložení vrstevných chyb na studovaných deskách a vyvinout metody pro řízení tohoto jevu. Na základě experimentálních analýz a rozborů obecných mechanismů vzniku defektů jsou objasňovány vazby mezi vznikem defektů různého typu. Tyto jsou pak diskutovány v souvislosti s parametry krystalu i procesu jeho růstu. Takto sestavený model je využit pro vývoj procesu růstu krystalů, kterým je potlačen nadměrný vznik defektů ve studovaných deskách. Za účelem studia defektů jsou zaváděny a vyvíjeny nové analytické metody. Disertační práce byla vytvořena za podpory ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
机译:本文主要研究掺硼的直拉硅单晶中的缺陷。这项工作研究了氧化后在硅晶片表面观察到的层缺陷圆形图案的形成。这项工作的主要目的是阐明观察到的在被研究板上的分层误差分布的机理,并开发出控制这种现象的方法。在实验分析和缺陷形成的一般机理分析的基础上,阐明了各种类型缺陷形成之间的联系。然后结合晶体的参数及其生长过程讨论这些。以这种方式编译的模型用于晶体生长过程的发展,该过程可以抑制研究板中缺陷的过度形成。为了研究缺陷,正在引入和开发新的分析方法。论文是在安森美半导体捷克共和国RožnovpodRadhoštěm的支持下创建的。

著录项

  • 作者

    Válek Lukáš;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号