Trends und Herausforderungen bei IGBTs und Superjunction-Bauelementen

摘要

Der vorliegende Beitrag diskutiert den erreichten Stand der Technik sowie die Trends und Herausforderungen bei IGBTs und Superjunction-Bauelementen in der 600V Spannungsklasse. Im Kapitel IGBTs werden wichtige Trends wie Reverse conducting-Strukturen und die Optimierung hin zu immer schnellerem Schalten angesprochen; bei den Superjunction-Bauelementen geht es um die Grenzen des erreichbaren flachenspezifischen Widerstands und die Kontrollierbarkeit des Bauelements bei schnellen Transienten. Im Ausblick wird eine Einordnung gegenuber dem Potential der wide band-gap Materialien SiC und GaN angeboten. Ein kurzer Uberblick uber laterale IGBTs in Power IC Technologien komplettiert den Artikel.