退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陆素先; 向超; 钟传杰;
江南大学 物联网工程学院;
江苏 无锡 214122;
机械工业第六设计研究院 河南 郑州 450007;
半超结; 逆导IGBT; 负阻效应; 击穿电压; 电荷不平衡效应;
机译:半超连通IGBT,具有相对高阻的P-TOP区域,用于低导通状态和关闭损耗
机译:半超结IGBT
机译:超结IGBT填补了SJ MOSFET和超快IGBT之间的空白
机译:利用新型电压维持层理论分析超结功率MOSFET CoolMOS / sup TM /的击穿电压和导通电阻
机译:人体上皮细胞TMIGD1介导的信号转导通路机理研究
机译:基于新型递归神经网络的超快速鲁棒和可扩展求解器用于求逆时变矩阵
机译:具有内置晶闸管的一种新型卷曲反向导通(RC)SOI-LIGBT
机译:超流体中的半孤子(3)He-a:新型pi / 2-Quanta相滑移
机译:半导体组件MOSFET,IGBT或双极晶体管或二极管;具有超区结(SJ)和漂移层作为pn平行层,在导通状态下导电,在截止状态下耗尽
机译:超结 - 硅化石 - 碳水化合物 - 半皮革制备及生产超结尾硅皮 - 半皮革制剂
机译:具有多个IGBT的整流IGBT电路包括反向馈电二极管,用于在IGBT导通时将开关电容器的放电能量分配到存储电容器
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。