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徐浩;
东南大学;
机译:高压功率器件(IGBT)多区结终端延伸的优化设计
机译:扩展了半导体上的IGBT产品,通过1200V器件实现了业界最高的总开关损耗特性
机译:带有沟槽栅IGBT和超软恢复二极管的新一代1200V电源模块及其评估
机译:膜技术中的超快速LIGBT和超结器件
机译:1200V碳化硅双极结型晶体管的分析和优化。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:超结型IGBT器件及其制造方法
机译:超结半导体器件和超结半导体器件的制造方法
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