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刘东静; 王韶铭; 王浩洁; 郑贵方;
桂林电子科技大学 机电工程学院 广西 桂林 541004;
江苏大学 材料科学与工程学院 江苏 镇江 212013;
IGBT; 优化设计; 振动分析; 可靠性;
机译:高压功率器件(IGBT)多区结终端延伸的优化设计
机译:1.4 kV非穿通沟槽式IGBT的优化设计:下一代大功率开关器件
机译:1.4kV非穿通沟槽式IGBT的优化设计:下一代大功率开关器件
机译:下一代大功率开关器件1.4 kV沟槽IGBT的优化设计
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:使用PIGBT-IDVR的IPFC增强的高性能功率补偿方法
机译:热对功率器件性能的影响:在IGBT上的应用
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:功率半导体器件功率半导体模块中使用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其功率半导体组件的横向边缘布置在导线上,与非导电绝缘体相邻
机译:功率器件和反向导通功率IGBT
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