Temperature dependence; Heavy ion irradiation; Single event transient; Linear energy transfer threshold (LETth); Circuit and device simulation; 6T-SRAM;
机译:紧凑模型,用于部分耗尽的SOI MOSFET在高温下的单事件瞬态和总剂量效应
机译:短脉冲X射线,激光和重离子产生的单事件瞬变的比较
机译:由于重离子照射,Sup-10nm SOI Mugfet中的单个事件瞬变
机译:SOI 6T-SRAM中重离子产生的单事件瞬态电流的高温效应紧凑
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:在由Abelson鼠白血病病毒的温度敏感突变体转化的单个前体细胞的子代中通过VH基因置换产生的重链可变(VH)区多样性
机译:SOI 6T-SRAM中高温对重离子产生的单事件瞬态电流影响的紧凑模型