机译:Ru / Mo / Si多层系统在极紫外(EUV)反射镜中缺陷可印刷性的数值研究
机译:通过EUV图案晶圆的全芯片光学检测来检测可印刷的EUV掩模吸收层缺陷和缺陷添加物
机译:使用极紫外显微镜研究可印刷相缺陷的临界尺寸:II。孔坑缺陷的可打印阈值区域的定义
机译:多层沉积对底坑缺损的EUV可印刷性和DUV检查性的影响 - (PPT)
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:SUB-32nm半间距HVM应用中EUV掩模缺陷的可印刷性和无关节