机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:通过优化Gd含量来改善HfGdON栅极介电Ge MOS电容器的界面特性
机译:通过优化Ta含量来改善LaTaON栅介电材料对Ge MOS电容器的界面和电学性能的影响
机译:GE MOS电容器高k栅极电介质N含量的优化
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:单层MoS2和HfO2高介电常数MOS电容器中界面状态的影响和起源
机译:Ge mOs电容器Higk-k LaTiON栅介质N含量的优化