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机译:通过优化Gd含量来改善HfGdON栅极介电Ge MOS电容器的界面特性
Lin Zhou; Lu Liu; Yu-Heng Deng; Chun-Xia Li; Jing-Ping Xu;
School of Optical and Electronic Information Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China;
Shenzhen Institute of Information Technology Shenzhen 518172 China;
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