GAA MOSFETs; degradation; hot-carrier; nanoscale;
机译:纳米级多栅极MOSFET的分析分析,包括热载流子引起的界面电荷的影响
机译:具有热载流子感应界面电荷效应的NMOSFET的分析阈值电压模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:用于纳米级GaA MOSFET的分析阈值电压模型,包括热载波诱导界面电荷的效果
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响