机译:纳米级多栅极MOSFET的分析分析,包括热载流子引起的界面电荷的影响
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
机译:纳米级全耗尽双栅极MOSFET的分析分析,包括热载流子退化效应
机译:二维分析亚阈值行为分析,包括纳米级栅极堆叠栅全向(GASGAA)MOSFET的热载流子效应
机译:二维阈值摆动行为的二维半分析,包括纳米级双栅MOSFET的自由载流子和界面陷阱效应
机译:用于纳米级GaA MOSFET的分析阈值电压模型,包括热载波诱导界面电荷的效果
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:器件缩放对热载流子感应界面和MOSFET中氧化物陷阱电荷分布的影响