机译:具有热载流子感应界面电荷效应的NMOSFET的分析阈值电压模型
R&DIDevice Division, ProMOS Technologies, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan, R. O. C.;
机译:具有接口陷阱电荷的包围栅MOSFET的紧凑型分析阈值电压模型
机译:包含陷阱电荷和极化感应电荷的三材料栅极AlGaN / GaN HEMT的沟道电势和阈值电压的分析模型
机译:三重材料栅极AlGaN / GaN HEMT通道电位和阈值电压的分析模型,包括捕获和极化诱导的电荷
机译:具有热载流子感应界面电荷效应的NMOSFET的分析阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:运动引起的猫腰运动神经元电压阈值超极化的模型研究
机译:LDD-nmOsFET的I-V特性建模与热载流子注入引起的缺陷有关
机译:Gaas mEsFET中压电感应阈值电压漂移的二维数值模型的开发与实验验证