スパッタエビタキシー法により成長したZmO単結晶層の真空アニナル処理

摘要

酸化物半導体であるZnOは，資源が豊富なZnとOから構成され，青色/UV帯発光デバイスや透明導電膜への応用が期待されている．これまで我々は，RFマグネトロンスパッタリング法（以下，スパッタ法）を用いてZnO層を成長し，得られる特性について検討を行ってきた．今回は，アニール処理によるZnO層の特性向上を目的として，真空中でのアニール処理を行った．また，アニール処理と同時にZnO層から脱離するガス量についても分析を行ったので報告する．