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LNO材料单晶层的制造方法和外延生长LNO材料单晶层的衬底

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一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。

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公开/公告号CN111902572A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06

原文格式PDF
申请/专利权人索泰克公司;
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申请/专利号CN201980021529.2
发明设计人布鲁诺·吉瑟兰;
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申请日2019-03-26
分类号C30B23/02(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/30(20060101);C30B33/06(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人龚泽亮;庞东成
地址法国伯尔宁
入库时间 2023-06-19 07:58:45

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