固体ホウ素源を用いた熱フィラメントCVDによるCVDダイヤモンド基板上へのBドープダイヤモンドの作製

摘要

ダイヤモンドは地球上に存在する物質の中で最も硬く、熱伝導に優れ、電気絶縁性など様々な特性を有する。さらにBをドーピングすることでp型半導体になる。また、導入されるホウ素の濃度は面方位よって異なり、マイクロ波プラズマCVD法を用いた場合、（100）面でホウ素を最も含有することが可能である1）。一方、当研究室ではB_4Cをホウ素源とし、基板にSiを用いた熱フィラメントCVDによるBドープダイヤモンドの作製について検討してきた結果、低抵抗CVDダイヤモンドの合成が可能であった2）。そこで、本研究は固体ホウ素源を用いた熱フィラメントCVDにより異なる面方位を有するCVDダイヤモンド基板上へのBドープダイヤモンドの作製ついて検討した。