metamporphic; in_(0.53)Ga_(0.47)As; InGaP; GaAs; p-i-n Photodiode; receiver; high-power photodiode;
机译:固体源分子束外延在线性梯度变质InGaP缓冲层上生长于GaAs衬底上的InGaAs / InP单量子阱结构
机译:在线性渐变的In / sub x / Ga / sub 1-x / P缓冲GaAs衬底上生长的超低泄漏In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As p-i-n光电探测器
机译:具有在GaAs基材上生长的Ingaas有源区和Ingap变质缓冲层的光电探测器
机译:未掺杂的INP夹在线渐进的变质inxga1-XP缓冲GaAs衬底上的部分p掺杂光吸收层夹在Ingaas p-i-n光电探测器中
机译:InP基质上III-V级阴离子变质缓冲液的科学和应用。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:在Si衬底上生长InGaAs梯度层的InGaAs CaP层中的螺纹位错
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。