metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor tip; future high-density data storage system; self-aligned technique; crystallographic dependant wet etching; convex corner compensation;
机译:三维MOS晶体管尖端集成微悬臂的制造与表征
机译:三维MOS晶体管尖端集成微悬臂梁的制作与表征
机译:互补金属氧化物半导体场效应晶体管兼容的原子力显微镜尖端制造工艺和利用该工艺制造的集成原子力显微镜悬臂
机译:MOS晶体管尖端集成微悬臂梁的制作与表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:具有集成流体通道的微共振悬臂的制作与表征
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。