机译:控制使用常规脉冲激光沉积,混合脉冲激光沉积和固态外延制备的BiMnO_3薄膜的Bi含量,相形成和外延特性
机译:通过使用原位脉冲激光沉积插入TiN种子层来控制MgO薄膜的逐层生长
机译:使用离子束辅助沉积GZO和自外延脉冲激光沉积CeO_2的缓冲层在SRL中使用脉冲激光沉积YBCO涂层的导体的当前状态
机译:通过脉冲激光沉积控制薄(〜10a)层的楔形曲线的沉积
机译:通过脉冲激光沉积和化学气相沉积合成新型材料:第一部分:氮化碳薄膜的能量沉积和稳定性。第二部分:一维材料和装置的催化生长。
机译:通过单脉冲激光沉积工艺制备Y2O3掺杂氧化锆/氧化G二氧化铈双层电解质薄膜SOFC的SOFC电池。
机译:钨酶促:通过脉冲激光沉积(ADV。母体,在SiO2 / Si衬底上生长厘米级单层和几层WSE2薄膜(母版。界面20/2018)
机译:使用脉冲激光沉积形成人工分层的薄膜化合物