V-Ga及びTi-Ga系高Ga濃度化合物をGa源としたV_3Ga超伝導相の生成

摘要

V_3Ga超伝導線材の超伝導特性向上を目的に前駆体における高Ga濃度化を考案し、高Ga濃度Cu-Ga化合物を用いた線材を試作し、超伝導特性の改善を明らかにしてきた。本研究ではCu-Ga系の他の高Ga濃度化合物として、V-Ga及びTi-Ga系によるV_3Ga超伝導相の拡散生成を検討し、生成相の超伝導特性及び微細組織について調査した。