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【24h】

ULSI製造における化学的機械研磨とトライボケミストリー

机译:ULSI制造业化学机械抛光和部落墨水

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摘要

CMPは,スラリー成分の化学作用と砥粒の機械作用の複合効果により,被研磨材を研磨,エッチングするとされている.今後,ますます厳しくなる研磨精度向上の要求に対応していくためには,被研磨面や砥粒表面と研磨液との吸着や反応などの化学作用と二面間の摺動との相互作用を理解し,スラリー設計,プロセス設計へ反映させていく必要がある.ここでは,素子分離工程に適用するSiO_2のCMPプロセスおよび配線形成工程に適用するCuのCMPプロセスについて,筆者らが行なった事例を紹介する.
机译:应该用浆料组分的化学作用和磨料晶粒的机械操作的化学作用抛光和蚀刻CMP和蚀刻。为了满足提高抛光精度的需求,将越来越严重,化学作用之间的相互作用如待抛光的表面和磨料表面和抛光液以及两个表面之间的滑动是必要的,以了解并将它们反映到浆料设计和过程设计。在这里,我们将介绍作者对Cu的CU的CMP过程进行了应用于SiO_2 CMP工艺和应用于元件隔离过程的布线形成过程。

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