電子ビーム蒸着およびイオンビームミキシング法を用いたCN_x膜成膜時基板冷却の硬さに及ぼす影響

摘要

本研究ではCN_x膜の成膜時におけるカーボンターゲットの電子ビーム蒸着と窒素イオンビーム照射を用いたIBAD（Ion Beam Assisted mixing Deposition）法において20GPa以上の高硬度なCN_x膜を成膜可能な条件を明らかにするため，成膜時の基板温度，窒素イオンビーム加速電圧，成膜速度及び膜厚を変化させ，CN_x膜の硬さに及ぼす影響を明らかにした．