数値制御プラズマCVM によるEUVL 用マスク基板の平坦化－加工装置および加工条件の改良による平坦度の向上

摘要

次世代の半導体デバイス製造における露光技術として極紫外リソグラフィー(extreme ultraviolet lithography：EUVL)が期待されている.EUV の波長(13nm)領域の光はあらゆる物質で透過されずにほとhどが吸収され,また,屈折率が1 に近いため,原理的に屈折光学系を利用することができない．そこでEUV 露光装置はすべてにおいて反射光学系で構成されている.EUV の波長13nm 付近において高反射率を得るため,Mo/Siの多層膜が用いられており,直入射で70％近い反射率が得られている．フォトマスク基板においても同様の反射系が用いられる．また,パターンの微細化を進めるにつれ,フォトマスク基板に求められる性能も以前に比べて格段に厳しくなってきている．例えばEUVL 用マスクの平坦度としては50nm 以下を満たさなければならず,もはや,これまでの機械加工では達成することが困難な要求仕様となってきている．本研究の目的は,数値制御プラズマCVM 加工装置を用いてEUVL 用フォトマスク基板を従来の機械加工では達成不可能な平坦度で,かつ高効率に作製する技術を確立することにある．