3Dスタックデバイスの製造工程におけるTSV内レジスト成膜に関する研究～第1報新しいTSVの成膜方法の提案とその装置化について

摘要

（1）3Dスタックデバイスの TSV（Through Silicon Via） 形成工程において，回転霧化式ノズルによるスプレー法によって，TSV内にレジスト成膜する方法を考案した．（2）回転霧化式スプレーノズルを搭載したレジスト成膜装置を試作した．（3）考案した成膜方法で，実際に直径80 μm，深さ100 μmのダミーパターンを形成したTSVTEGウェハを成膜した．その結果，成膜可能であった．その結果，TSV壁両部に良好な成膜が可能と分かった．