CMPと洗浄における表面欠陥/ラフネス発生機構と対策

摘要

ナノデバイス時代を迎えた，半導体製造プロセスでは，ナノサイズの極微小欠陥（nano-defect）が問題となっている．欠陥は小さなものほど数が多く，したがって，歩留まりはデバイス微細化の度に低下の危機に曝されている．CMP とその後洗浄プロセスは，ナノ欠陥との戦いである．本稿ではシリコン研磨とその後洗浄を例に，典型的なナノ欠陥とその発生機構，対策に関する最近の研究結果を解説する．