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康海燕; 刘玉岭; 武彩霞; 苏艳勤; 杨伟平; 刘效岩;
河北工业大学微电子技术与材料研究所;
锑化铟; pH值; 粗糙度; 化学机械抛光; 抛光液; 原子力显微镜; 有机碱; 表面加工;
机译:使用硬垫的高度平面化cmp技术的开发:提高Cmp工艺中晶片的面内抛光均匀性
机译:抛光参数对Cu CMP过程中不同晶片图案演变的影响
机译:区域压力对多区域CMP工艺中晶片弯曲和流体润滑行为的影响
机译:CMP性能的理解和控制进展:晶片,凹槽和粗糙度刻度的接触水动力学
机译:模型和新鲜水果系统中的表面粗糙度对冷大气压等离子体的微生物灭活效果的影响。
机译:口服碳酸氢钠补充剂的作用维持酸碱平衡及其对酸碱度的影响慢性血液透析中的心血管系统患者–前瞻性研究结果
机译:压力和压板速度对CMP工艺中蓝宝石晶片材料去除率的影响
机译:切向牵引和粗糙度对滚动接触过程中裂纹萌生/扩展的影响
机译:InSB半导体晶片表面工作影响层的测量方法
机译:CMP设备载具头的晶片支撑组件可防止晶片因物理外力而破裂并避免晶片抛光过程中晶片边缘应力集中
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