机译:LPE缓冲层对升华生长的4H-SiC外延层的结构影响
机译:液相外延生长的6H-SiC和4H-SiC结构中的微管和位错密度降低
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机译:在LPE缓冲器上生长的4H-SIC升华血管层中的缺陷演变,细微微皮层密度降低
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:通过直接等离子体辅助氧化控制4H-SiC上生长的SiO2膜中的缺陷和过渡层
机译:通过持续逐层生长实现在4H-SiC(1(1)over-bar00)上生长的非极性4H-AlN,具有降低的堆垛层错密度
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究