机译:金属大量扩散引起的低k电介质异常随时间变化的介电击穿特性的入侵渗流模型
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机译:基于覆盖误差模型的Cu / Low-k互连中时变介电击穿寿命分布统计分析
机译:一种改进的Herman模型,用于预测低k / ULK互连电介质的时间依赖性介电击穿(TDDB)特性从双电压斜坡介电击穿(DVRDB)测试
机译:加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:多孔低K硅基互连介质的泄漏,击穿和TDDB特性
机译:大介电常数液体的介电击穿分布