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一种高击穿电压陶瓷介电材料及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种高击穿电压陶瓷介电材料及其制备方法，本发明方法包括前驱体制备、包覆、烧结三个步骤；通过对CaCu

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-13

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B35/462 申请公布日:20170524 申请日:20161122

发明专利申请公布后的撤回
2017-05-24

公开

公开

1. 一种高击穿电压陶瓷介电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106699165A . 2017-05-24
2. 一种耐高温聚合物基陶瓷介电材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN111285618B . 2020.12.18
3. A process for the preparation of a semiconductor circuit with a high breakdown voltage. [P] . 德国专利： DE3783418T2 . 1993-05-27

机译：一种高击穿电压的半导体电路的制备方法。
4. A METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A VARISTOR CERAMIC HAVING A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND VARISTOR CERAMIC THEREOF [P] . IN2010MU00886A . 2011-02-25

机译：具有高击穿电压的压敏电阻陶瓷的制造方法及其压敏电阻陶瓷
5. Dielectric Ceramic Composition Having High Breakdown Voltage Properties and Multilayer Ceramic Chip Capacitor Using The Same [P] . 韩国专利： KR100501184B1 . 2005-07-18

机译：具有高击穿电压特性的介电陶瓷组合物和使用该组合物的多层陶瓷芯片电容器