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【24h】

Active #x201C;multi-fingers#x201D;: Test structure to improve MOSFET matching in sub-threshold area

机译:Active“多手指&#x201d ;:测试结构,以改善子阈值区域中的MOSFET匹配

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摘要

Low power analog applications are often designed under threshold and can be degraded by hump effect. This effect is explained through device dimensions and body bias studies. A MOSFET matching improvement in sub-threshold area is demonstrated with active “multi-fingers” test structure.
机译:低功耗模拟应用通常在阈值下设计,并且可以通过驼峰效应来降级。 通过装置尺寸和身体偏压研究说明这种效果。 使用Active&#x201c对MOSFET匹配改进子阈值区域;多手指” 测试结构。

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