Zn; Ruthenium; diffusion; InP; MOVPE;
机译:通过金属有机气相扩散(MOVPD)对InP,InAsP / InP和InAsP / InGaAs异质结构进行锌掺杂
机译:退火处理对金属有机气相外延生长的掺磷ZnMgTe外延层电和光致发光性能的影响
机译:(1010)ZnO衬底上通过金属有机气相外延生长本征,受体和施主掺杂的(Mg,Zn)O外延层的生长和结构表征
机译:金属有机汽相外延退火对掺钌InP中Zn的扩散
机译:金属有机气相外延生长锰掺杂的锑化铟铟半导体薄膜中的铁磁性。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:碲掺杂Ga(sub 0.8)In(sub 0.2)sb层通过金属有机气相外延生长