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一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺

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本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC (5 nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC (5 nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（

著录项

公开/公告号CN103972162B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人四川大学;
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申请/专利号CN201410201533.6
发明设计人刘波;张彦坡;林黎蔚;廖小东;
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申请日2014-05-13
分类号
代理机构
代理人
地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
入库时间 2022-08-23 09:47:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20160907 终止日期:20170513 申请日:20140513

专利权的终止
2016-09-07

授权

授权
2016-09-07

授权

授权
2014-09-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140513

实质审查的生效
2014-09-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140513

实质审查的生效
2014-08-06

公开

公开
2014-08-06

公开

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