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IPRM 2013
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1.
MOCVD growth of carbon-doped InGaAs layers using ethyl-base metal organic materials
机译:
使用乙基贱金属有机材料的碳掺杂InGaAs层的MOCVD生长
作者:
Hideo Yokohama
;
Kenji Shiojima
;
Gako Araki
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
MOCVD;
Ethyl-based material;
C-doped InGaAs;
Pulse-doping;
2.
Mid-infrared photodetectors with InAs/GaSb type-II quantum wells grown on InP substrate
机译:
中红外光电探测器具有INAS / GASB Type-II量子孔在INP基板上生长
作者:
H.Inada
;
K.Miura
;
Y.Iguchi
;
Y.Kawamura
;
Murooka
;
H. Katayama
;
S. Kanno
;
T. Takekawa
;
M. Kimata
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Infrared;
Photodetector;
type-II;
InAs/GaSb;
InP;
3.
Nature of the optical transition in .(In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs): effect of QD size, indium composition and nitrogen incorporation
机译:
光学过渡的性质。(在,Ga)为(n)/间隙量子点(qd):QD尺寸,铟组分和氮气掺入的影响
作者:
C. Robert
;
C. Cornet
;
K. Pereira da Silva
;
P. Turban
;
S. Mauger
;
T. Nguyen Thanh
;
J. Even
;
J.M. Jancu
;
M. Perrin
;
H. Folliot
;
T. Rohel
;
S. Tricot
;
A. Balocchi
;
P. Barate
;
X. Marie
;
P.M. Koenraad
;
M.I. Alonso
;
A.R. Go?i
;
N. Bertru
;
O. Durand
;
A. Le Corre
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
quantum dots;
scanning tunneling microscopy;
time-resolved photoluminescence;
pressure dependent photoluminescence;
4.
1540 to 1645 nm continuous VCSEL emission based on quantum dashes
机译:
基于量子破折号的1540至1645 nm连续VCSEL发射
作者:
C. Paranthoen
;
C. Levallois
;
J. P. Gauthier
;
F. Taleb
;
N. Chevalier
;
M. Perrin
;
Y. Leger
;
O De Sagazan
;
A. Le Corre
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
VCSEL;
quantum dashes;
wide gain.;
5.
Cryogenic Ultra-Low Noise Amplification -InP PHEMT vs. GaAs MHEMT
机译:
低温超低噪声放大-INP PHEMT与Gaas MHEMT
作者:
J. Schleeh
;
H. Rodilla
;
N. Wadefalk
;
P. ?. Nilsson
;
J. Grahn
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Cryogenic;
GaAs MHEMT;
InP PHEMT;
low noise;
6.
Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate
机译:
Si衬底上具有N-INP源的50nm ingaas MOSFET
作者:
Atsushi KATO
;
Toru KANAZAWA
;
Eiji UEHARA
;
Yoshiharu YONAI
;
Yasuyuki MIYAMOTO
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Sub-50-nm InGaAs;
MOSFET;
n-InP;
7.
Influence of gate-channel distance in low-noise InP HEMTs
机译:
低噪声INP HEMTS栅极通道距离的影响
作者:
P. ?. Nilsson
;
H. Rodilla
;
J. Schleeh
;
N. Wadefalk
;
J. Grahn
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InP HEMT;
LNA;
noise;
8.
Simultaneous 40-Gbps Direct Modulation of 1.3-μm Wavelength AlGaInAs Distributed-Reflector Laser Arrays on Semi-Insulating InP Substrate
机译:
在半绝缘INP基板上同时40-Gbps直接调制1.3-μm波长藻类分布式反射器激光阵列
作者:
Manabu Matsuda
;
Ayahito Uetake
;
Takasi Simoyama
;
Shigekazu Okumura
;
Kazumasa Takabayashi
;
Mitsuru Ekawa
;
Tsuyoshi Yamamoto
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
DR laser;
laser array;
direct modulation;
9.
Single-Photon Emission in Telecommunication Band from an InAs Quantum Dot in a Pillar Structure
机译:
电信带中的单光子发射从柱结构中的INA量子点
作者:
X. Liu
;
K. Akahane
;
M. Sasaki
;
H. Kumano
;
I. Suemune
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAs;
InP;
telecommunication wavelength;
Photon antibunching;
single-photon source;
10.
Carrier-transport, Optical and Structural Properties of Large Area ELOG InP on Si Using Conventional Optical Lithography
机译:
使用常规光学光刻的Si大面积Elog INP的载体传输,光学和结构性能
作者:
H. Kataria
;
W. T. Metaferia
;
M. Nagarajan
;
C. Junesand
;
Y. Sun
;
S. Lourdudoss
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
HVPE;
ELOG;
InP;
Hall;
11.
Design of Multi-Functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier Array with AlInAs-Oxide Current Confinement Layer
机译:
用氧化铝电流限制层设计多功能GAINASP / SI混合半导体光放大器阵列
作者:
Yusuke HAYASHI
;
Keita FUKUDA
;
Ryo OSABE
;
Jun-ichi SUZUKI
;
Yuki ATSUMI
;
JoonHyun KANG
;
Nobuhiko NISHIYAMA
;
Shigehisa ARAI
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Semiconductor optical amplifier;
III-V/Si hybrid integration;
Si photonics;
AlInAs oxidation;
12.
Frequency Modulation in mm-Wave InGaAs MOSFET/RTD Wavelet Generators
机译:
MM波InGaAs MOSFET / RTD小波发生器的频率调制
作者:
Mikael Egard
;
Mats ?rlelid
;
Lars Ohlsson
;
B. Mattias Borg
;
Erik Lind
;
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InGaAS MOSFET;
RTD;
wavelet generator;
mm-Wave circuits;
13.
Junction Field-Effect Transistor Based on GaAs Core-Shell Nanowires
机译:
基于GaAs Core-Shell纳米线的接合场效应晶体管
作者:
O. Benner
;
A. Lysov
;
C. Gutsche
;
G. Keller
;
C. Schmidt
;
W. Prost
;
F. J. Tegude
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
nanowire;
JFET;
GaAs;
14.
MOVPE growth of InAs/InP QDs on directly-bonded InP/Si substrate
机译:
在直接粘合的InP / Si衬底上的INAS / INP QDS的MOVPE生长
作者:
Keiichi Matsumoto
;
Xinxin Zhang
;
Yoshonori Kanaya
;
Kazuhiko Shimomura
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Directly-bonded InP/Si substrate;
InAs/InP;
Quantum dots;
stranski-krastanov growth mode;
double-cap procedure.;
15.
35 nm mHEMT Technology for THz and ultra low noise applications
机译:
35 NM MHEMT技术的THz和超低噪声应用
作者:
Arnulf Leuther
;
Axel Tessmann
;
Michael Dammann
;
Hermann Massler
;
Michael Schlechtweg
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
mHEMT;
Technology;
THz;
16.
in-situ Characterization of MOCVD grown GaAs- and InP-based tunable VCSEL structures
机译:
MOCVD种植GAAS和基于INP的可调VCSEL结构的原位表征
作者:
Christian Grasse
;
Yuto Tomita
;
Peter Wiecha
;
Ralf Meyer
;
Tobias Gründl
;
Michael Müller
;
Markus-Christian Amann
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
in-situ monitoring;
MOCVD;
InP;
GaAs;
VCSEL;
17.
Impact of Al_2O_3 ALD temperature on Al_2O_3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties
机译:
AL_2O_3 ALD温度对AL_2O_3 / GASB金属氧化物半导体界面性能的影响
作者:
Masafumi Yokoyama
;
Yuji Asakura
;
Haruki Yokoyama
;
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
GaSb;
MOS;
interface;
oxide;
capacitor;
18.
Room-temperature Continuous-wave Operation of Lateral Current Injection Membrane Laser
机译:
横向电流注入膜激光器的室温连续波操作
作者:
Kyohei Doi
;
Takahiko Shindo
;
Mitsuaki Futami
;
Jieun Lee
;
Takuo Hiratani
;
Daisuke Inoue
;
Shu Yang
;
Tomohiro Amemiya
;
Nobuhiko Nishiyama
;
Shigehisa Arai
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
membrane laser;
lateral current injection;
strong optical confinement;
optical interconnects;
19.
Sub-50nm Indium Phosphide High Electron Mobility Transistor Technology for Terahertz Monolithic Microwave Integrated Circuits and Systems Invited Paper
机译:
用于太赫兹整体微波集成电路和系统的Sub-50nm磷化铟高电子迁移晶体管技术邀请纸
作者:
Stephen Sarkozy
;
Xiaobing Mei
;
Wayne Yoshida
;
Po-Hsin Liu
;
Ling-Shine Lee
;
Joe Zhou
;
Kevin Leong
;
Vesna Radisic
;
William Deal
;
Richard Lai
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InP;
HEMT;
THz;
fmax;
Transistor;
mmW;
LNA;
PA;
20.
High Performance Modulation Doped AlGaAs/InGaAs Thermopiles (H-PILEs) for Uncooled IR FPA Utilizing Integrated HEMT-MEMS Technology
机译:
利用集成HEMT-MEMS技术,高性能调制掺杂掺杂AlgaAs / Ingaas热能(H-桩)
作者:
Masayuki Abe
;
Kian Siong Ang
;
Rene Hofstetter
;
Hong Wang
;
Geok Ing Ng
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Seebeck effect;
heterostructure-thermopile;
H-PILE;
AlGaAs/InGaAs;
AlGaN/GaN;
HEMT;
MEMS;
FPA;
infrared image sensor;
21.
The Measurement of Dislocation on InP Wafers
机译:
在INP晶圆上脱位的测量
作者:
Qingfang Huang
;
Zhiguo Liu
;
Ruixia Yang
;
Xiaolan Li
;
Qiang Wang
;
Xiuwei Tian
;
Jianye Yang
;
Shuai Li
;
Huimin Shao
;
Yanlei Shi
;
Xin Zhang
;
Ning Li
;
Yong Kang
;
Huisheng Liu
;
Tongnian Sun
;
Niefeng Sun
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InP;
wet chemical etching method;
dislocation;
22.
Self-aligned quantum-dot growth for single-photon sources
机译:
单光子源自对准量子点生长
作者:
U. W. Pohl
;
A. Strittmatter
;
J.-H. Schulze
;
D. Quandt
;
T. D. Germann
;
W. Unrau
;
T. Heindel
;
O. Hitzemann
;
D. Bimberg
;
S. Reitzenstein
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Site-controlled quantum dots;
single-photon sources;
23.
Monte Carlo Simulation of InAlAs/InGaAs HEMTs with Buried Gate
机译:
Monte Carlo Inalas / Ingaas Hemts仿真与埋设门
作者:
Akira Endoh
;
Issei Watanabe
;
Akifumi Kasamatsu
;
Takashi Mimura
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
HEMTs;
InAIAs;
InGaAs;
Monte Carlo simulation;
transconductance;
gate capacitance;
cutoff frequency;
24.
Multi-regrowth steps for the realization of buried single ridge and μ-stripes quantum cascade lasers
机译:
实现掩埋单脊和μ条纹Quantum级联激光器的多再生步骤
作者:
O. Parillaud
;
G-M de Naurois
;
B. Simozrag
;
V. Trinité
;
G. Maisons
;
M.Garcia
;
B. Gerard
;
M. Carras
;
W. Metaferia
;
C. Junesand
;
H. Kataria
;
Y. Sun
;
S. Lourdudoss
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Quantum Cascade Lasers;
Thermal resistance;
μ-stripes arrays;
MO VPE and HVPE;
25.
Bandgap Wavelength Shift in Quantum Well Intermixing using Different SiO_2 masks for Photonic Integration
机译:
带隙波长在量子阱中使用不同的SiO_2掩模进行光子集成
作者:
Jieun Lee
;
Yoshiaki Yamahara
;
Mitsuaki Futami
;
Takahiko Shindo
;
Tomohiro Amemiya
;
Nobuhiko Nishiyama
;
Shigehisa Arai
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
quantum-well intermixing (QWI);
photonic integration;
membrane photonic integrated circuits;
26.
Improvement in Nonlinear Characteristics of Zero Bias GaAsSb-based Backward Diodes
机译:
基于零偏压的向后二极管的非线性特性的改进
作者:
Tsuyoshi Takahashi
;
Masaru Sato
;
Yasuhiro Nakasha
;
Naoki Hara
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
backward diode;
GaAsSb;
zero bias;
non-linearity;
millimeter-wave;
lattice match;
sensitivity;
27.
Low Crosstalk and High Modulation Bandwidth 100GbE Optical Transmitter Using Flip-Chip Interconnects
机译:
低串扰和高调制带宽100GBE光发射器使用倒装芯片互连
作者:
Shigeru Kanazawa
;
Takeshi Fujisawa
;
Kiyoto Takahata
;
Akira Ohki
;
Ryuzo Iga
;
Hiroyuki Ishii
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
DFB laser;
EAM;
Photonic integrated circuits;
100 Gigabit Ethernet;
EADFB laser array;
flip-chip.;
28.
Study of lowering onset gain for a high-speed InGaAs/InAlAs avalanche photodiode
机译:
高速IngaAs / Inalas雪崩光电二极管降低发病增益的研究
作者:
Masahiro Nada
;
Yoshifumi Muramoto
;
Haruki Yokoyama
;
Tadao Ishibashi
;
Hideaki Matsuzaki
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Avalanche photodiode;
field control layer;
InAlAs.;
29.
Terahertz GaAs Schottky diode mixer and multiplier MIC's based on e-beam technology
机译:
Terahertz Gaas Schotky Diode搅拌机和乘法器麦克风基于电子束技术
作者:
V. Drakinskiy
;
P. Sobis
;
H. Zhao
;
T. Bryllert
;
J. Stake
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Schottky diodes;
passive circuits;
membrane;
submillimeter wave mixers;
multipliers;
30.
Static and dynamic characteristics of InAs/AlGaInAs/InP quantum dot lasers operating at 1550 nm
机译:
INAS / ALALASAS / INP量子点激光器的静态和动态特性在1550nm下运行
作者:
Johann Peter Reithmaier
;
Vitalii Ivanov
;
Vitalii Sichkovskyi
;
Christian Gilfert
;
Anna Rippien
;
Florian Schnabel
;
David Gready
;
Gadi Eisenstein
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
quantum dot laser;
optical communication;
high frequency modulation;
narrow linewidth;
distributed feedback laser;
31.
InP/InGaAs DHBT Technology Using SiN/Si02 Sidewall Spacers
机译:
使用SIN / SI02侧壁垫片的INP / INGAAS DHBT技术
作者:
Norihide Kashio
;
Kenji Kurishima
;
Minoru Ida
;
Hideaki Matsuzaki
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InP DHBT;
ledge passivation;
sidewall spacer;
32.
Transmitter PIC for THz Applications Based on Generic Integration Technology
机译:
基于通用集成技术的THz应用程序发送器PIC
作者:
F.M. Soares
;
J. Kreissl
;
M. Theurer
;
E. Bitincka
;
T. Goebel
;
M. Moehrle
;
N. Grote
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
generic PIC technology;
building blocks;
butt-joint technology;
component;
integrated DFB laser;
THz transmitter;
33.
High Performacne InAs/AlSb HEMT with Refractory Iridium Schottky Gate Metal
机译:
高性能INAS / ALSB HEMT与耐火材料铱肖特基栅极金属
作者:
Wen-Yu Lin
;
Chao-Hung Chen
;
Hsien-Chin Chiu
;
Fan-Hsiu Huang
;
W. J. Hsueh
;
Yue-Ming Hsin
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
AlSb;
iridium;
Titanium Schottky barrier height.;
34.
Highly non-linear phenomena and coherent effects in 1500 nm QD lasers and amplifiers
机译:
高度非线性现象和1500nm QD激光器和放大器中的相干效果
作者:
Gadi Eisenstein
;
Amir Capua
;
Ouri karni
;
J. P. Reithmaier
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Quantum dots;
semiconductor nonlinearities;
coherent light matter interaction;
35.
Analysis of photoluminescent properties of InAs/InGaAsP/InP quantum dots structure
机译:
INAS / INGAASP / INP量子点结构的光致发光性能分析
作者:
Rie Sato
;
Mariya Nakamura
;
Hajime Imai
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAs/InGaAsP/InP quantum dots structure;
Photoluminescence;
36.
Intermixing of Highly-Stacked InAs/InGaAlAs Quantum Dots Grown on InP (311)B Substrate by SiO_2 Sputtering and Annealing Technique
机译:
通过SiO_2溅射和退火技术在INP(311)B底板上生长在INP(311)B底板上的高堆叠INAS / INGAALAS量子点的混合
作者:
A. MATSUSHITA
;
A. MATSUMOTO
;
K. AKAHANE
;
Y. MATSUSHIMA
;
K. UTAKA
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAs/InGaAlAs;
quantum dots;
intermixing;
PL wavelength;
37.
MOCVD Growth and Device Characterization of InP/GaAsSb/InP DHBTs with a GaAs Spacer
机译:
具有GaAs间隔的INP / GAASSB / INP DHBT的MOCVD生长和装置表征
作者:
Takuya HOSHI
;
Hiroki SUGIYAMA
;
Haruki YOKOYAMA
;
Norihide KASHIO
;
Kenji KURISHIMA
;
Minoru IDA
;
Hideaki MATSUZAKI
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
DHBT;
GaAsSb;
GaAs spacer;
MOCVD;
38.
InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (113)B InP substrate
机译:
在(113)B INP基板上生长的INAS / INP量子点模式锁定激光器
作者:
K. Klaime
;
C. Calò
;
R. Piron
;
C. Paranthoen
;
D. Thiam
;
T. Batte
;
O. Dehaese
;
J. Le Pouliquen
;
S. Loualiche
;
A. Le Corre
;
K Merghem
;
Martinez
;
A. Ramdane
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Mode-locking;
quantum dots (QDs);
semiconductors laser.;
39.
Analysis of Uni-Traveling-Carrier Photodetectors (UTC-PDs) with Dipole-Doped Interface
机译:
用偶极掺杂界面分析UNI行驶载波光电探测器(UTC-PDS)
作者:
Q. Q. Meng
;
C. Y. Liu
;
H. Wang
;
K. S Ang
;
K. Manoj
;
T. X. Guo
;
B. Gao
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
uni-traveling-carrier photodetector;
dipole doping;
equivalent circuit model;
time delay.;
40.
Monolithic InP Receiver Chip with a 90° Hybrid and a Variable Optical Attenuator for 100GBit/s Colourless WDM Detection
机译:
具有90°混合动力的单片INP接收器芯片和用于100Gbit / s无色WDM检测的可变光学衰减器
作者:
P. Runge
;
S. Schubert
;
A. Seeger
;
T. Gartner
;
K. Janiak
;
J. Stephan
;
D. Trommer
;
M. L?nstrup Nielsen
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
coherent detection;
monolithic InP receiver;
90° hybrid;
variable optical attenuator;
41.
Analysis on channel thickness fluctuation scattering in InGaAs-OI MOSFETs
机译:
Ingaas-OI MOSFET中通道厚度波动散射分析
作者:
S. H. Kim
;
M. Yokoyama
;
R. Nakane
;
O. Ichikawa
;
T. Osada
;
M. Hata
;
M. Takenaka
;
S. Takagi
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Analysis;
channel thickness;
fluctuation;
42.
Tunable InP Photonic Integrated Circuit for Millimeter Wave Generation
机译:
可调谐INP光子集成电路,用于毫米波生成
作者:
Marco Lamponi
;
Mourad Chtioui
;
Fran?ois Lelarge
;
Ga?l Kervella
;
Efthymios Rouvalis
;
Cyril Renaud
;
Martyn Fice
;
Guillermo Carpintero
;
Frederic van Dijk
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
millimeter wave generation;
semiconductor lasers;
photonic integrated circuits;
43.
High Growth Rate Gallium Phosphide for Red LEDs
机译:
用于红色LED的高生长速率镓磷化物
作者:
Stephen Farrell
;
Chris Ebert
;
Devon Dyer
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
gallium;
phospide;
light-emitting diode;
MOCVD;
44.
Wurtzite Gallium Phosphide has a Direct-Band Gap
机译:
磷化钛矿镓具有直接带隙
作者:
S. Assali
;
I. Zardo
;
S. Plissard
;
M. A. Verheijen
;
J. E. M. Haverkort
;
E. P. A. M. Bakkers
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Gallium Phosphide;
Crystal structure;
Direct Band Gap;
45.
Reshaping the optical properties of quantum dots via strain and electric fields
机译:
通过应变和电场重塑量子点的光学性质
作者:
Armando Rastelli
;
Rinaldo Trotta
;
Eugenio Zallo
;
Paola Atkinson
;
Oliver G. Schmidt
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
quantum dots;
strain-tunable devices;
46.
1480nm InGaAsP LOC Broad-Area-Lasers with >18W Pulsed Output Power at 20°C
机译:
1480nm IngaASP LOC宽面积激光器> 18W脉冲输出功率在20°C
作者:
D. Fendler
;
M. M?hrle
;
M. Spiegelberg
;
W. Rehbein
;
W. Passenberg
;
N. Grote
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
high power;
NIR;
InGaAsP;
semiconductor laser;
47.
III-V MOS Technology: From Planar to 3D and 4D
机译:
III-V MOS技术:从平面到3D和4D
作者:
Peide D. Ye
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InGaAs;
gate-all-around (GAA);
nanowire;
MOSFET;
48.
High Transconductance Surface Channel In_(0.53)Ga_(0.47)As MOSFETs Using MBE Source-Drain Regrowth and Surface Digital Etching
机译:
高跨导表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为MOSFET使用MBE源排水再生和表面数字蚀刻
作者:
Sanghoon Lee
;
Cheng-Ying Huang
;
Andrew D. Carter
;
Jeremy J. M. Law
;
Doron C. Elias
;
Varistha Chobpattana
;
Brian J. Thibeault
;
William Mitchell
;
Susanne Stemmer
;
Arthur C. Gossard
;
Mark J. W. Rodwell
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InGaAs MOSFETs;
source-drain regrowth;
digital etching style;
substitutional-gate;
surface channel;
49.
250-290 GHz Amplifier in 75-nm InP HEMT Technology Using Inverted Microstrip Transmission Line
机译:
250-290 GHz放大器在75-NM INP HEMT技术中使用倒微带传输线
作者:
Hiroshi Matsumura
;
Shoichi Shiba
;
Masaru Sato
;
Tsuyoshi Takahashi
;
Toshihide Suzuki
;
Yasuhiro Nakasha
;
Naoki Hara
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
common-source amplifier;
inverted microstrip transmission line;
J-band;
HEMT.;
50.
AlGaInAs Selective Area Growth for high-speed EAM-based PIC Sources
机译:
来自基于高速EAM的PIC来源的AlGainas选择性区域生长
作者:
Jean Decobert
;
Pierre-Yves Lagrée
;
Hugues Guerault
;
Christophe Kazmierski
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
MOVPE;
Selective Area Growth (SAG);
Photonic Integrated Circuit (PIC);
AlGalnAs multiple quantum wells (MQW);
Electro-absorption Modulators.;
51.
Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
机译:
各种通道材料纳米尺度近缘频率限制的比较研究
作者:
Yutaro Nagai
;
Shohei Nagai
;
Jun Sato
;
Shinsuke Hara
;
Hiroki I. Fujishiro
;
Akira Endoh
;
Issei Watanabe
;
Akifumi Kasamatsu
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InGaAs;
InAs;
InSb;
HEMT;
Strain;
Band Calculation;
Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation;
Delay Time;
f_T;
THz;
52.
High-speed directly modulated laser for applications beyond lOOGbE
机译:
高速直接调制激光器,用于超越Loogbe的应用
作者:
Wataru Kobayashi
;
Takeshi Fujisawa
;
Toshio Ito
;
Takayuki Yamanaka
;
Takashi Tadokoro
;
Hiroaki Sanjoh
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Direct modulation;
ridge waveguide;
multiple quantum-well distributed feedback laser;
53.
Ultrashort pulse generators using resonant tunneling diodes with improved power performance
机译:
超短脉冲发生器使用谐振隧道二极管,具有改进的功率性能
作者:
Dongpo Wu
;
Jie Pan
;
Katsutaro Mizumaki
;
Masayuki Mori
;
Koichi Maezawa
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
resonant tunneling;
pulse generator;
tapered transmission line;
54.
Extremely-High Sensitive Terahertz Detector based on Dual-Grating Gate InP-HEMTs
机译:
基于双光栅门INP-HEMTS的极高敏感的太赫兹探测器
作者:
Yuki Kurita
;
Kengo Kobayashi
;
Taiichi Otsuji
;
Guillaume Ducournau
;
Yahya M. Meziani
;
Vyacheslav V. Popov
;
Wojciech Knap
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
terahertz;
detection;
two-dimensional plasmon;
high electron mobility transistor.;
55.
Novel planar structure single-RF drive MZ optical modulator on InP(l 10) substrate
机译:
INP(L 10)基板上的新型平面结构单RF驱动MZ光学调制器
作者:
Yoshihiro Ogiso
;
Masakazu Arai
;
Eiichi Yamada
;
Hiromasa Tanobe
;
Yasuo Shibata
;
Masaki Kohtoku
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
component;
MZ Modulator;
InP(110);
56.
Characterization and Modeling of Zero Bias rf-Detection Diodes based on Triple Barrier Resonan Tunneling Structures
机译:
基于三重屏障逆向隧道隧穿结构的零偏置RF检测二极管的表征与建模
作者:
Gregor Keller
;
Anselme Tchegho
;
Benjamin Münstermann
;
Werner Prost
;
Franz-Josef Tegude
;
Michihiko Suhara
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
RTD;
Triple Barrier RTD;
rectification;
InP;
tunneling diode;
57.
Flat-top Optical Frequency Comb Block Generation using InP-based Mach-Zehnder Modulator
机译:
基于基于INP的Mach-Zehnder调制器的平顶光学频率梳块生成
作者:
Takeaki Saikai
;
Takahiro Yamamoto
;
Hiroshi Yasaka
;
Eiichi Yamada
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Optical modulator;
Mach-Zehnder modulator;
Light source;
Optical frequency comb.;
58.
Monolithically Integrated Optical Link Using Photonic Crystal Laser and Photodetector
机译:
使用光子晶体激光器和光电探测器的单片集成光学
作者:
Shinji Matsuo
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
photonic crystal laser;
nanocavity laser;
optical interconnects;
direct modulation;
59.
Monolithic Integration of InP-Based Waveguide Photodiodes with MIM Capacitors for Compact Coherent Receiver
机译:
基于INP的波导光电二极管与小型电容器的单片集成,用于紧凑型相干接收机
作者:
Ryuji MASUYAMA
;
Hideki YAGI
;
Naoko INOUE
;
Yutaka ONISHI
;
Tomokazu KATSUYAMA
;
Takehiko KIKUCHI
;
Yoshihiro YONEDA
;
Hajime SHOJI
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
waveguide photodiode;
capacitor;
coherent receiver;
monolithic integration;
60.
Travelling Wave Mach-Zehnder Modulators (Invited)
机译:
旅行波Mach-Zehnder调制器(邀请)
作者:
Kelvin Prosyk
;
Abderrahmane Ait-Ouali
;
Junfu Chen
;
Michael Hamacher
;
Detlef Hoffmann
;
Ronald Kaiser
;
Ron Millett
;
Alessio Pirastu
;
Marco Totolo
;
Karl-Otto Velthaus
;
Ian Woods
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
modulator;
Mach-Zehnder;
travelling wave;
IQ;
100G;
QPSK;
61.
New Fabrication Method of Trapezoidal Polarization Converters for InP-Based Photonic Integrated Circuits
机译:
基于INP的光子集成电路的梯形偏振转换器的新制造方法
作者:
Dzmitry O. Dzibrou
;
Jos J. G. M. van der Tol
;
Meint K. Smit
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
polarization converter;
photonic integrated circuits;
InP;
62.
Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution
机译:
氨和GA-GE溶液在大气压下GaN的液相电脓
作者:
D. Kanbayashi
;
T. Hishida
;
M. Tomita
;
H. Takakura
;
T. Maruyama
;
S. Naritsuka
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Liquid-Phase Electroepitaxy;
GaN;
Atmospheric Pressure;
Electromigration;
Growth rate enhancement;
63.
56Gb/s PDM-BPSK Experiment with a Novel InP-Monolithic Source Based on Prefixed Optical Phase Switching
机译:
56GB / s PDM-BPSK基于前缀光相切换的新型INP-单片源进行实验
作者:
C. Kazmierski
;
N. Chimot
;
F. Blache
;
J. Decobert
;
F. Alexandre
;
J. Honecker
;
C. Leonhardt
;
A. Steffan
;
O. Bertran-Pardo
;
H. Mardoyan
;
J. Renaudier
;
G. Charlet
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Waveguide modulators;
Semiconductor lasers;
Photonic Integrated Circuits;
AlGalnAs quantum wells;
BPSK;
64.
Advances in III-V Semiconductor Photonics: Nanostructures and Integrated Chips
机译:
III-V半导体光子学的进步:纳米结构和集成芯片
作者:
Osamu Wada
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
III-V semiconductors;
photonic devices;
all-optical switches;
nanostructures;
quantum dots;
optoelectronic integrated circuits (OEICs);
photonic integrated ciruits (PICs);
Si-photonics;
65.
1/f-noise in Vertical InAs Nanowire Transistors
机译:
垂直INAS纳米线晶体管中的1 / F噪声
作者:
Karl-Magnus Persson
;
Martin Berg
;
Erik Lind
;
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
1/f-noise;
high-κ;
nanowire;
InAs;
FET;
66.
InP-based Compact Reflection-Type Transversal Filter
机译:
基于INP的紧凑型反射型横向滤波器
作者:
Y. Ueda
;
T. Fujisawa
;
K. Takahata
;
M. Kohtoku
;
H. Takahashi
;
H. Ishii
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
transeversal filter;
multi-mode interference coupler;
reflection mirror;
monolithically integrated light source array;
67.
Light emission between 2 and 4 μm: Innovative active region designs for InP- and GaSb-based devices
机译:
2至4μm的发光:基于INP和GASB的设备的创新活动区域设计
作者:
Gerhard Boehm
;
Stephan Sprengel
;
Kristijonas Vizbaras
;
Christian Grasse
;
Tobias Gruendl
;
Ralf Meyer
;
Markus-Christian Amann
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
mid-infrared lasers;
GaSb;
InP;
Type-II;
VCSEL;
gas-sensing;
68.
Mode Locked InAs/InP Quantum dash based DBR Laser monolithically integrated with a semiconductor optical amplifier
机译:
模式基于锁定的INAS / INP量子划线的DBR激光器与半导体光放大器单片集成
作者:
Siddharth Joshi
;
Nicolas Chimot
;
Ricardo Rosales
;
Sophie Barbet
;
Alain Accard
;
Abderrahim Ramdane
;
Fran?ois Lelarge
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Semiconductor Mode Locked Laser;
Distributed Bragg Reflector;
Photonic Integration;
69.
5 GHz Low-Power RTD-Based Amplifier MMIC With a High Figure-Of-Merit of 24.5 dB/mW
机译:
5 GHz低功耗RTD的放大器MMIC,具有24.5 dB / mW的高附件
作者:
Jongwon Lee
;
Jooseok Lee
;
Jaehong Park
;
Kyounghoon Yang
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
amplifier;
InP;
monolithic microwave integrated circuit;
negative differential resistance;
resonant tunneling diode;
70.
Selective area MOVPE of InGaAsP and InGaN systems as process analytical and design tools for OEICs
机译:
InGaAsp和Ingan Systems的选择性地区Movpe作为OEIC的过程分析和设计工具
作者:
Yukihiro Shimogaki
;
Masakazu Sugiyama
;
Yoshiaki Nakano
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Selective Area Growth;
InGaAsP;
InGaN;
OEICs;
71.
Asymmetric Dual-Grating Gate InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for Ultrafast and Ultrahigh Sensitive Terahertz Detection
机译:
超微双光栅门InGaAs / Inalas / InP HEMTS用于超速和超高敏感的太赫兹检测
作者:
Taiichi Otsuji
;
Takayuki Watanabe
;
Stephane Boubanga-Tombet
;
Tetsuya Suemitsu
;
Dominique Coquillat
;
Wojciech Knap
;
Denis Fateev
;
Vyacheslav Popov
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
terahertz;
plasmon;
detector;
HEMT;
grating;
72.
Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE
机译:
MOVPE使用双封盖手术的INAS QDS的宽能级控制
作者:
Masayuki Yamauchi
;
Yuto Iwane
;
Shohei Yoshikawa
;
Yuta Yamamoto
;
Kazuhiko Shimomura
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Quantum dots;
InAs/InP;
double-cap procedure;
MOVPE;
73.
Simulation and Fabrication of InGaAs Planar Gunn Diode on InP Substrate
机译:
INP基板InGaAs Planar Gunn二极管的仿真和制造
作者:
Vasileios Papageorgiou
;
Ata Khalid
;
Chong Li
;
David R.S. Cumming
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Gunn diode;
simulation;
mm-wave devices;
74.
Preparation of single-domain. Si(100) surfaces with in situ control in CVD ambient
机译:
单域的制备。 SI(100)在CVD环境中具有原位控制的表面
作者:
Sebastian Brückner
;
Oliver Supplie
;
Peter Kleinschmidt
;
Anja Dobrich
;
Henning D?scher
;
Thomas Hannappel
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Si(100);
single-domain surfaces;
RAS;
MOVPE This work was supported by the BMBF (project no. 03SF0329C).;
75.
InP Based Photonic Integrated Circuits For DWDM Optical Communication
机译:
基于INP的DWDM光通信的光子集成电路
作者:
Beck Mason
;
Michael Larson
;
Yuliya Akulova
;
Srinath Kalluri
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InP;
Photonic Integration;
Coherent;
76.
Frequency-resolved optical gating measurements of sub-ps pulses from InAs/InP quantum dash based mode-locked lasers
机译:
基于INAS / INP量子划线的模式锁定激光器的频率分辨光学门控测量
作者:
C. Calò
;
H. Schmeckebier
;
K. Merghem
;
R. Rosales
;
F. Lelarge
;
A. Martinez
;
D. Bimberg
;
A. Ramdane
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Frequency-resolved;
optical gating;
measurements;
77.
Suppression of multi-photon emission in 1.5-μm quantum-dot single-photon source
机译:
1.5μm量子点单光子源中的多光子发射的抑制
作者:
Toshiyuki Miyazawa
;
Kazuya Takemoto
;
Yoshiki Sakuma
;
Haizhi Song
;
Motomu Takatsu
;
Tsuyoshi Yamamoto
;
Yasuhiko Arakawa
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
quantum dot;
single-photon source;
quasi-resonant excitation;
g~((2))(0);
Rabi oscillation;
78.
Non-blocking 4x4 InAlGaAs/InAlAs Mach-Zehnder-Type Optical Switch Fabric
机译:
非阻塞4x4 Inalgaas / Inalas Mach-Zehnder型光开关织物
作者:
N. KOYAMA
;
H. KOUKETSU
;
S. KAWASAKI
;
A. TAKEI
;
T. TANIGUCHI
;
Y. MATSUSHIMA
;
K. UTAKA
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAlGaAs/InAIAs compo und semiconductors;
Mach-Zehnder-type optical switch;
rearrangeable non-blocking;
79.
Butt-Joint Built-in (BJB). Structure for Membrane Photonic Integration
机译:
对接关节内置(BJB)。膜光子集成的结构
作者:
Daisuke Inoue
;
Jieun Lee
;
Takahiko Shifido
;
Mitsuaki Futami
;
Kyohei Doi
;
Tomohiro Amemiya
;
Nobuhiko Nishiyama
;
Shigehisa Arai
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
butt-joint regrowth;
OMVPE;
photonic integrated circuit;
membrane structure;
80.
From surface dimer orientations to bonds at the GaP/Si(100) heterointerface In situ reflection anisotropy spectroscopy during MOVPE-growth of GaP on Si(100)
机译:
从表面二聚体取向从间隙/ Si(100)异偶表面在Si(100)的Movpe-生长期间在间隙/ Si(100)异偶接近的粘合
作者:
Oliver Supplie
;
Sebastian Brückner
;
Henning D?scher
;
Peter Kleinschmidt
;
Thomas Hannappel
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
III-V/Si(100);
heterointerface;
RAS;
MOVPE;
81.
Cryogenic DC Characterization of InAs/Al_(80)Ga_(20)Sb Self-Switching Diodes
机译:
低温直流表征INAS / AL_(80)GA_(20)SB自切割二极管
作者:
Andreas Westlund
;
Giuseppe Moschetti
;
Per-?ke Nilsson
;
Jan Grahn
;
Ludovic Desplanque
;
Xavier Wallart
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAs;
THz;
detector;
diode;
self-switching;
SSD;
82.
120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz f_T and 335GHz f_(max)
机译:
120nm alsb / inas hemt没有门凹陷:290ghz f_t和335ghz f_(max)
作者:
Gardes C.
;
Bagumako S.M.
;
Desplanque L.
;
Wichmann N.
;
Bollaert S.
;
Danneville F.
;
Wallart X.
;
Roelens Y.
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
AlSb/InAs HEMT;
antimonide-based compound semiconductor;
high frequency performances.;
83.
A 1×4 MMI-Integrated High-Power Waveguide Photodetector
机译:
1×4 MMI集成的高功率波导光电探测器
作者:
Efthymios Rouvalis
;
Philipp Müllef
;
Dirk Trommer
;
Jens Stephan
;
Andreas G. Steffan
;
Günter Unterb?rsch
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
microwave photonics;
p-i-n photodiode;
multi-mode interference (MMI) coupler;
third-order intermodulation distortion (IMD3);
millimeter-wave source;
1-dB compression.;
84.
Zn Diffusion in Ruthenium Doped InP with Annealing by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
Zn扩散在钌掺杂INP,通过金属蒸汽阶段外延退火
作者:
H. Yamaguchi
;
T. Nagira
;
Z. Kawazu
;
K. Ono
;
M. Takemi
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Zn;
Ruthenium;
diffusion;
InP;
MOVPE;
85.
Optimizing The Double-Cap Procedure for InAs/InGaAsP/InP Quantum Dots by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
用金属 - 有机化学气相沉积优化InAs / InGaASP / INP量子点的双帽步骤
作者:
Shuai Luo
;
Hai-Ming Ji
;
Xiao-Guang Yang
;
Tao Yang
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
InAs InP quantum dot metal-organic chemical vapor deposition;
86.
MOVPE-preparation of Si(l 11) surfaces for III-V nanowire growth
机译:
用于III-V纳米线生长的Si(L 11)表面的MOVPE制备
作者:
Matthias Steidl
;
Agnieszka Paszuk
;
Weihong Zhao
;
Sebastian Brückner
;
Anja Dobrich
;
Oliver Supplie
;
Johannes Luczak
;
Peter Kleinschmidt
;
Henning D?scher
;
Thomas Hannappel
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
MOVPE;
silicon;
arsenic;
morphology;
XPS;
FTIR;
LEED;
STM;
87.
17-Gb/s Direct Modulation of Lambda-scale Embedded Active Region Photonic Crystal Lasers
机译:
17-GB / S直接调制Lambda级嵌入式有源区光子晶体激光器
作者:
Koji Takeda
;
Tomonari Sato
;
Akihiko Shinya
;
Kengo Nozaki
;
Hideaki Taniyama
;
Koichi Hasebe
;
Takaaki Kakitsuka
;
Masaya Notomi
;
Shinji Matsuo
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
photonic crystal laser;
nanocavity laser;
optical interconnects;
direct modulation;
88.
Terahertz Oscillators using Resonant Tunneling Diodes with InAlGaAs/InP Composite Collector
机译:
太赫兹振荡器使用带有Inalgaas / InP复合集电极的谐振隧道二极管
作者:
R. Sogabe
;
K. Shizuno
;
H. Kanaya
;
S. Suzuki
;
M. Asada
;
H. Sugiyama
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
resonant tunneling diode;
terahertz oscillator;
slot antenna;
InAlGaAs/InP composite collector;
89.
Low Power Consumption Operation of Light Sources for Inter-chip Optical Interconnects
机译:
用于片内光学互连的光源的低功耗操作
作者:
Nobuaki Hatori
;
Takanori Shimizu
;
Makoto Okano
;
Masashige Ishizaka
;
Tsuyoshi Yamamoto
;
Yutaka Urino
;
Masahiko Mori
;
Takahiro Nakamura
;
Yasuhiko Arakawa
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
silicon photonics;
inter-chip optical interconnects;
light sources on Si substrate;
hybrid integrated light sources;
90.
Optimization of metamorphic buffer layers for extended-InGaAs/InP photodetectors
机译:
用于延伸 - IngaAs / InP光电探测器的变质缓冲层的优化
作者:
S. Seifert
;
R. Ravash
;
D. Franke
;
F. Wenning
;
D. Zengler
;
F. Kie?ling
会议名称:
《IPRM 2013》
|
2013年
关键词:
Optimization;
metamorphic;
buffer;
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