Schottky Barrier Height; Ideality factor; I-V characteristics; Fermi Level Pinning;
机译:独立衬底劈裂表面上的n-GaN肖特基接触的电特性:肖特基势垒高度对金属功函数的依赖性
机译:肖特基势垒高度依赖性基板裂解表面N-GaN肖特基触点的电气特性 - 金属工作障碍依赖性
机译:肖特基势垒高度依赖性基板裂解表面N-GaN肖特基触点的电气特性 - 金属工作障碍依赖性
机译:肖特基势垒高度对金属工作功能的依赖性
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:错误:“表面处理对甘肖孔屏障二极管屏障高度的金属 - 工作函数依赖性的影响”AIP adv。 8,115011(2018)