Immersion, top-coat, hydrophobicity, nozzle, contact angle, leaching, peeling, HMT;
机译:45nm以下光刻的材料选择:硅基双层抗蚀剂的浸入特性
机译:开发用于193 nm干法和浸没式光刻的新型抗蚀剂材料
机译:193 nm浸没式光刻的实际开发与实现
机译:防浸材料的实际实施
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:单根Cu:7788-四氰基对二甲烷纳米线中的持续电阻切换:用于电阻随机存取存储器的有前途的材料
机译:子45nm光刻的材料选择:硅基双层抗蚀剂的浸没特性