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Materials Choices for Sub-45nm Lithography: Immersion Characteristics of Silicon-Based Bilayer Resist

机译：子45nm光刻的材料选择：硅基双层抗蚀剂的浸没特性

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Sanjay Malik; David Brozozowy; Tom Sarubbi;
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年度 2007
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1. Materials Choices for Sub-45nm Lithography:Immersion Characteristics of Silicon-Based Bilayer Resist [J] . Sanjay Malik, David Brzozowy, Tom Sarubbi Journal of Photopolymer Science and Technology . 2007,第3期

机译：45nm以下光刻的材料选择：硅基双层抗蚀剂的浸入特性
2. Ultraviolet Nano Imprint Lithography Using Fluorinated Silicon-Based Resist Materials [J] . Satoshi Takei Applied physics express . 2010,第2期

机译：使用氟化硅基抗蚀剂材料的紫外线纳米压印光刻
3. Development of new resist materials for 193-nm dry and immersion lithography [J] . Yoko Takebe, Takashi Sasaki, Naoko Shirota, Microelectronic Engineering . 2006,第4a9期

机译：开发用于193 nm干法和浸没式光刻的新型抗蚀剂材料
4. Silicon-Based Anti-Reflective Spin-On Hardmask Materials for 45 nm pattern of immersion ArF Lithography [C] . Sang Kyun Kim, Hyeon Mo Cho, Sang Ran Koh, Conference on Advances in Resist Materials and Processing Technology . 2008

机译：硅基抗反射旋涂硬掩模材料，用于45 nm浸入式ArF光刻技术
5. Development of inorganic resists for electron beam lithography: Novel materials and simulations. [D] . Jeyakumar, Augustin. 2004

机译：用于电子束光刻的无机抗蚀剂的开发：新型材料和模拟。
6. CuO/PMMA Polymer Nanocomposites as Novel Resist Materials for E-Beam Lithography [O] . Georgia Geka, George Papageorgiou, Margarita Chatzichristidi, 2021

机译：CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
7. Development of Materials and Processes for Non-top Coat Immersion Lithography [O] . Katsutoshi Kobayashi, Kotaro Sho, Hirokazu Kato, 2009

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