Flash memory; Endurance; Hydrogen;
机译:零附加工艺,本地电荷陷阱,具有漏极侧辅助擦除方案的嵌入式闪存,使用最小通道长度/宽度标准互补金属氧化物半导体单晶体管单元
机译:单片嵌入式闪存故障,编程/擦除速度,耐久性和保留特性的比较研究
机译:低于90 nm嵌入式两个晶体管Fowler-Nordheim隧道闪存的耐用性和性能的实际考虑
机译:Cu和Alu金属化方案对嵌入式闪存耐久性的影响及比较
机译:闪存固态硬盘的耐久性研究。
机译:少量Fe或Co对形状记忆Zr-Cu-Al大块金属玻璃复合材料的玻璃形成能力马氏体转变和力学性能的剧烈影响
机译:PCM-FTL:一种用于基于PCM的嵌入式系统的写活动感知NAND闪存管理方案