机译:单片嵌入式闪存故障,编程/擦除速度,耐久性和保留特性的比较研究
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA;
Couplings; Junctions; Logic gates; Nonvolatile memory; Standards; Tunneling; Voltage measurement; Embedded flash (eFlash) memory; embedded nonvolatile memory (eNVM); single-poly eFlash; single-poly eFlash.;
机译:3-D SONOS闪存单元阵列晶体管的编程/擦除效率和保留特性的比较研究:从双栅极FET和FinFET到全栅FET的结构方法
机译:具有纳米硅的多晶Si TFT TANOS闪存单元,具有较高的编程/擦除速度和良好的保留
机译:一种新的随机电报信号方法,用于研究SONOS闪存中的程序/擦除电荷横向扩展和保留损耗
机译:单片嵌入式闪存单元的编程/擦除速度,耐久性,保留性和干扰特性
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆:Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
机译:3-D NAND闪存中程序/擦除循环期间横向电荷扩散劣化的原子研究