CVD金刚石膜表面金属化Ti/Cu/Ni/Au体系的研究

摘要

该文采用真空电子束蒸发实现了ＣＶＤ金刚石膜表面金属化Ｄｉａｍｏｎｄ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ。经测量，金刚石膜金属化后伏安特性在±１５Ｖ成线性关系。界面实现欧姆接触。利用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱证实，该金属化体系在４５０°C以内镍能阻挡钛和铜向金中扩散。利用ＰＴＤＳ－Ⅱ型光热偏转方法测量了不同工艺条件下金刚石膜表面金属化对其热导率的影响，优化工艺热导率降低可控制在６．５℅以内。