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Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop
Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop
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1.
Highly Scalable Fe(Ferroelectric)-NAND Cell with MFIS(Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor) Structure for Sub-10nm Tera-Bit Capacity NAND Flash Memories
机译:
具有MFIS(金属 - 铁电绝缘体 - 半导体)结构的高度可扩展的Fe(铁电) - NAND细胞,用于子10NM TERA位容量NAND闪存记忆
作者:
Shigeki Sakai
;
Mitsue Takahashi
;
Ken Takeuchi
;
Qiu-Hong Li
;
Takeshi Horiuchi
;
Shouyu Wang
;
Kwi-Young Yun
;
Makoto Takamiya
;
Takayasu Sakurai
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
FeFET;
NAND Flash;
Ferroelectric gate;
Scalable;
2.
Si Nanocrystal Split Gate Technology Optimization for High Performance and Reliable Embedded Microcontroller Applications
机译:
SI纳米晶体分裂栅极技术优化高性能和可靠的嵌入式微控制器应用
作者:
Sung-Taeg Kang
;
Jane Yater
;
CheongMin Hong
;
James Shen
;
Nicole Ellis
;
Matthew Herrick
;
Horacio Gasquet
;
Wendy Malloch
;
Gowrishankar Chindalore
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
3.
Scaling properties of doped Sb{sub}2Te phase change line cells
机译:
掺杂Sb {sub} 2te相变线单元格的缩放属性
作者:
F. J. Jedema
;
M. A. A. int Zandt
;
R. A. M. Wolters
;
D. Tio Castro
;
G. A. M. Hurkx
;
R. Delhougne
;
D. J. Gravesteijn
;
K. Attenborough
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Component;
Chalgogenide materials;
Phase change memories;
PCRAM;
Line cell;
Scaling;
4.
Study of Charge Trapping Vertical Location and Capture Efficiency of SONOS-Type Devices by Gate-sensing and Channel-sensing (GSCS) Method
机译:
通过栅极感测和通道传感(GSCS)方法研究电荷捕获垂直位置及捕获验证效率
作者:
Hang-Ting Lue
;
Pei-Ying Du
;
Szu-Yu Wang
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
5.
Improvement of TANOS NAND Flash performance by the optimization of a sealing layer
机译:
通过封闭层的优化改进TANOS NAND闪光性能
作者:
L. Breuil
;
A. Furnemont
;
A. Rothschild
;
G. Van den Bosch
;
A. Cacciato
;
J. Van Houdt
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
6.
C-Flash: An Ultra-Low Power Single Poly Logic NVM
机译:
C-Flash:超低功耗单多元逻辑NVM
作者:
Y. Roizin
;
E. Aloni
;
A. Birman
;
V. Dayan
;
A. Fenigstein
;
D. Nahmad
;
E. Pikhay
;
D. Zfira
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
7.
Nitride thickness scaling limitations in TANOS charge trapping devices
机译:
TANOS充电诱捕装置中的氮化物厚度缩放限制
作者:
Thomas Melde
;
M. Florian Beug
;
Lars Bach
;
Stephan Riedel
;
Christoph Ludwig
;
Thomas Mikolaijck
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
SONOS;
TANOS;
Nitride;
Charge trapping;
Retention;
Charge distribution;
8.
3-D Channel Structure Flash Having Short Channel Effect Immunity and Low Random Telegraph Signal Noise
机译:
3-D通道结构闪光灯具有短信效应免疫和低随机电报信号噪声
作者:
WookHyun Kwon
;
Yun Heub Song
;
Yimao Cai
;
WonHyung Ryu
;
Younggoan Jang
;
SungUk Shin
;
Jino Jun
;
Seung A. Kim
;
Chan-Kwang Park
;
Won-Seong Lee
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
9.
A 15ns 4Mb NVSRAM in 0.13μ SONOS Technology
机译:
在0.13μSonos技术中为15ns 4MB NVSRAM
作者:
Michael Fliesler
;
David Still
;
Jeong-Mo Hwang
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
10.
Nitride engineering for improved erase performance and retention of TANOS NAND Flash memory
机译:
氮化物工程,提高了擦除性能和TanoS NAND闪存的保留
作者:
G. Van den Bosch
;
A. Furnemont
;
M. B. Zahid
;
R. Degraeve
;
L. Breuil
;
A. Cacciato
;
A. Rothschild
;
C. Olsen
;
U. Ganguly
;
J. Van Houdt
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
11.
A novel programming method to refresh a long-cycled phase change memory cell
机译:
一种刷新长循环相变存储器单元的新型编程方法
作者:
Suyoun Lee
;
Jeung-hyun Jeong
;
Taek Sung Lee
;
Won Mok Kim
;
Byung-ki Cheong
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Phase Change Memory;
Cycling endurance;
Field-induced atomic migration;
12.
Integration of silicon nanocrystal memory arrays with HfAlO{sub}x based interpoly dielectric
机译:
用HFALO {SUB} X型介电器集成硅纳米晶体记忆阵列
作者:
G. Molas
;
M. Bocquet
;
J. Buckley
;
H. Grampeix
;
J. P. Colonna
;
L. Masarotto
;
F. Martin
;
M. Gely
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
;
D. S. Golubovic
;
M. J. van Duuren
;
C. Bongiorno
;
S. Lombardo
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Non-volatile memories;
High-k;
Interpoly;
Silicon nanocrystals;
HfAlO;
13.
Anomalous Erase Behavior in Charge Trapping Memory Cells
机译:
电荷捕获存储器单元中的异常擦除行为
作者:
M. F. Beug
;
T. Melde
;
M. Isler
;
L. Bach
;
M. Ackermann
;
S. Riedel
;
K. Knobloch
;
C. Ludwig
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Flash memory;
Charge trapping devices;
Erase hump;
14.
Optimization of Al{sub}2O{sub}3 Interpoly Dielectric for Embedded Flash Memory Applications
机译:
优化Al {sub} 2o {sub} 3嵌入式闪存应用中的介电
作者:
Dirk Wellekens
;
Joeri De Vos
;
Jan Van Houdt
;
Koen van der Zanden
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Flash memory;
Floating gate;
Al{sub}2O{sub}3 IPD;
Retention;
Program/erase cycling;
15.
Performance enhancement in ultra-scaled SONOS FinFlash by inclusion of high-k dielectric in the gate stack
机译:
通过在栅极堆叠中包含高k电介质的超缩放Sonos FinFlash中的性能增强
作者:
C. Jahan
;
E. Nowak
;
L. Perniola
;
M. Gely
;
G. Molas
;
S. Lombardo
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
16.
A Study of Sub-40nm FinFET BE-SONOS NAND Flash
机译:
对Sub-40nm Finfet Be-Sonos Nand Flash的研究
作者:
Tzu-Hsuan Hsu
;
Hang-Ting Lue
;
Wu-Chin Peng
;
Cheng-Hung Tsai
;
Ya-Chin King
;
Szu-Yu Wang
;
Ming-Tsung Wu
;
Shih-Ping Hong
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Nan-Tzu Lian
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
17.
Opportunities and Challenges in Multi-times-programmable Floating-Gate Logic Non-Volatile Memories
机译:
多次可编程浮动门逻辑非易失性存储器的机遇和挑战
作者:
Bin Wang
;
Yanjun Ma
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Logic NVM;
ENVM;
Floating-gate;
50A tunneling oxide;
18.
On the Influence of Fin Corner Rounding in 3D Nanocrystal Flash Memories
机译:
论鳍角舍入3D纳米晶体闪存的影响
作者:
E. Nowak
;
L. Perniola
;
C. Jahan
;
P. Scheiblin
;
G. Reimbold
;
B. De Salvo
;
F. Boulanger
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Flash memory;
SONOS FinFET;
FinFLASH;
Corner effect;
3D;
19.
Low voltage and fast program and erase SONOS with thick tunnel oxide for low cost embedded EEPROM-like memory applications
机译:
低电压和快速程序和擦除具有厚隧道氧化物的SONOS,用于低成本嵌入式EEPROM类似的存储器应用
作者:
N. Akil
;
M. van Duuren
;
D. S. Golubovic
;
M. Boutchich
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
20.
An Oxide-Buffered BE-MANOS Charge-Trapping Device and the Role of Al{sub}2O{sub}3
机译:
氧化物缓冲的BE-MANOS电荷捕获装置和Al {sub} 2o {sub} 3的作用
作者:
Sheng-Chih Lai
;
Hang-Ting Lue
;
Chien-Wei Liao
;
Yu-Fong Huang
;
Ming-Jui Yang
;
Yi-Hsien Lue
;
Tai-Bor Wu
;
Jung-Yu Hsieh
;
Szu-Yu Wang
;
Shih-Ping Hong
;
Fang-Hao Hsu
;
Chih-Yen Shen
;
Guang-Li Luo
;
Chao-Hsin Chien
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
21.
A 65nm 1Mb SRAM Macro with Dynamic Voltage Scaling in Dual Power Supply Scheme for Low Power SoCs
机译:
具有低功耗SOC的双电源方案中的65nm 1MB SRAM宏,具有动态电压缩放
作者:
G. Fukano
;
K. Kushida
;
A. Tohata
;
Y. Takeyama
;
K. Imai
;
A. Suzuki
;
T. Yabe
;
N. Otsuka
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
22.
Reliability Characteristics of TANOS (TaN/AlO/SiN/Oxide/Si) NAND Flash Memory with Rounded Corner (RC) Structure
机译:
TANOS(TAN / ALO / SIN / SI)的可靠性特性NAND闪存,圆角(RC)结构
作者:
Sung-Il Chang
;
Chang-Hyun Lee
;
Changseok Kang
;
Sanghun Jeon
;
Juhyung Kim
;
Byeong-In Choi
;
Youngwoo Park
;
Jintaek Park
;
Wonseok Jeong
;
Janghyun You
;
Bonghyun Choi
;
Jongsun Sel
;
Jae Sung Sim
;
Yoocheol Shin
;
Jungdal Choi
;
Won-Seong Lee
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
23.
2T-FN eNVM with 90nm Logic Process for Smart Card
机译:
2T-FN ENVM,智能卡具有90nm逻辑过程
作者:
Yong Kyu Lee
;
Jung Ho Moon
;
Young Ho Kim
;
Myung-Jo Chun
;
Soung-Youb Ha
;
Sunggon Choi
;
Hyunkye Yoo
;
Heeseog Jeon
;
Jaemin Yu
;
Jeong-Uk Han
;
Eunseung Jung
;
Chilhee Chung
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
2T (2 transistor);
Flash;
ENVM;
SOC;
Smart Card;
24.
Influence and Comparison of Cu and Alu Metallization Schemes on Endurance of embedded Flash Memories
机译:
Cu和Alu金属化方案对嵌入式闪存耐久性的影响及比较
作者:
G. Tempel
;
F. Erler
;
J. Fruehauf
;
J. Pantfoerder
;
K. Schaedler
;
S. Schulte
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Flash memory;
Endurance;
Hydrogen;
25.
Set of electrical characteristic parameters suitable for reliability analysis of multimegabit Phase Change Memory arrays
机译:
适用于多重标签相变存储器阵列可靠性分析的电特性参数集
作者:
A. Chimenton
;
C. Zambelli
;
P. Olivo
;
A. Pirovano
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Non-Volatile Memory;
Phase Change Memory;
Reliability;
Electrical Characterization;
26.
TMR Design Methodology for SPin-transfer torque RAM (SPRAM) with Nonvolatile and SRAM Compatible Operations
机译:
具有非易失性和SRAM兼容操作的旋转转移扭矩RAM(SPRAM)的TMR设计方法
作者:
R. Takemura
;
T. Kawahara
;
J. Hayakawa
;
K. Miura
;
K. Ito
;
M. Yamanouchi
;
S. Ikeda
;
H. Takahashi
;
H. Matsuoka
;
H. Ohno
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
27.
Numerical Implementation of Low Field Resistance Drift for Phase Change Memory Simulations
机译:
相变内存模拟的低场电阻漂移的数值实现
作者:
A. Redaelli
;
A. Pirovano
;
A. Locatelli
;
F. Pellizzer
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Phase Change Memories (PCM);
Low field resistance drift;
Amorphous GST;
28.
In-Ga-O Based Double-Heater Phase Change Memory Cell
机译:
基于GA-O基双加热器相变存储器单元
作者:
S. L. Wang
;
C. Y. Chen
;
M. K. Hsieh
;
W. C. Lee
;
A. H. Kung
;
L. H. Peng
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Nonvolatile memory;
Phase-change memory (PCM);
Indium gallium oxide;
29.
Numerical Simulation of Programming Transient Behavior in Charge Trapping Storage Memory
机译:
电荷诱捕存储器中编程瞬态行为的数值模拟
作者:
C. H. Lee
;
C. W. Wu
;
S. W. Lin
;
T. H. Yeh
;
S. H. Gu
;
K. F. Chen
;
Y. J. Chen
;
J. Y. Hsieh
;
I. J. Huang
;
N. K. Zous
;
T. T. Han
;
M. S. Chen
;
W. P. Lu
;
Tahui Wang
;
C. Y. Lu
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
30.
Improvement of Endurance and Switching Stability of Forming-free Cu{sub}xO RRAM
机译:
完善无成型Cu {} XO Rram的耐久性和切换稳定性
作者:
H. B. Lv
;
M. Yin
;
P. Zhou
;
T. A. Tang
;
A. Bao
;
M. H. Chi
;
B. A. Chen
;
Y. Y. Lin
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
RRAM;
Cu{sub}xO;
Plasma oxidation;
Forming process;
Endurance;
31.
Characterization of Low Frequency Noise in Floating Gate NAND Flash Memory
机译:
浮置栅极NAND闪存中低频噪声的表征
作者:
Sung-Ho Bae
;
Jeong-Hyun Lee
;
Hyuck-In Kwon
;
Seaung-Suk Lee
;
Jae-Chul Om
;
Jong-Ho Lee
;
Gi-Hyun Bae
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Low frequency noise;
1/f noise;
Random telegraph noise;
Floating gate;
NAND flash memory;
Program/erase cycling;
32.
A 90nm Embedded Page Flash for EEPROM replacement in System On Chip
机译:
一个90nm嵌入式页面flash,用于芯片上系统中的EEPROM替换
作者:
A. Conte
;
G. Matranga
;
D. De Costantini
;
M. Micciche
;
C. Ucciardello
;
A. Di Martino
;
F. Granata
;
A. Castagna
;
P. Zuliani
;
E. Gomiero
;
R. Annunziata
;
J. Devin
;
F. Maugain
;
J. Acland
;
J. Sonzogni
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
33.
Improved retention for a Al{sub}2O{sub}3 IPD embedded Flash cell without top-oxide
机译:
改善了Al {Sub} 2O {Sub} 3 IPD嵌入式闪存的保留,而无需顶氧化物
作者:
J. R. Power
;
D. Shum
;
Y. Gong
;
S. Bogacz
;
J. Haeupel
;
H. Estel
;
R. Strenz
;
R. Kakoschke
;
K. van der Zanden
;
R. Allinger
;
G. Jaschke
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
34.
On the Influence of Molecular Linker on Charge Transfer Rate in Hybrid Molecular (Ferrocene)/Silicon Field Effect Memories
机译:
关于分子接头对杂种分子(二茂铁)/硅场效应存储器电荷转移率的影响
作者:
J. Buckley
;
T. Pro
;
R. Barattin
;
A. Calborean
;
M. Gely
;
K. Huang
;
G. Delapierre
;
F. Duclairoir
;
E. Jalaguier
;
P. Maldivi
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
|
2008年
关键词:
Non-volatile memories;
Molecular grafting;
Molecular memories;
Oxidation/reduction;
DFT;
35.
The Impact of Interference on Multi-Level-Cell Applications in Scaled Nitride-Storage Flash Memory
机译:
干扰对缩放氮化物存储闪存中多级单元应用的影响
作者:
I. C. Yang
;
Y. W. Chang
;
G. W. Wu
;
P. C. Chen
;
C. H. Chen
;
T. C. Lu
;
K. C. Chen
;
C. Y. Lu
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
36.
A Highly Reliable Logic NVM 'eCFlash (embedded CMOS Flash)' Utilizing Differential Sense-Latch Cell with Charge-Trapping Storage
机译:
利用带电荷捕获存储的差分感测锁存单元的高度可靠的逻辑NVM“Ecflash(嵌入式CMOS闪存)”
作者:
T. Ogura
;
M. Mihara
;
Y. Kawajiri
;
K. Kobayashi
;
S. Shimizu
;
S. Shukuri
;
N. Ajika
;
M. Nakashima
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
37.
Advantage of Floating Gate B4-Flash over Retention Reliability after Cycling - Characterization by Variation of Transconductance
机译:
浮动栅极B4-闪光通过循环后循环后的保持可靠性的优点 - 通过跨导的变化表征
作者:
S. Shukuri
;
N. Ajika
;
S. Shimizu
;
M. Mihara
;
Y. Kawajiri
;
T. Ogura
;
K. Kobayashi
;
M. Nakashima
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
38.
N-Channel Complementary Pairing in Nitride Trap Memory
机译:
N沟道互补配对在氮化物陷阱记忆中
作者:
Nori Ogura
;
Seiki Ogura
;
Tomoko Iwasaki
;
Takeshi Kikuchi
;
Tomoya Saito
;
Tomoko Matsuda
;
Kazuhiro Takimoto
;
Kenichiro Nakagawa
;
Koichi Ando
;
Junichi Yamada
;
Tatsuya Saito
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
39.
Evidence of the prominent role of the time-under-melt parameter in the reset switching of phase-change line cells
机译:
熔融参数在相变线单元复位切换中的近熔融参数的突出作用的证据
作者:
L. Goux
;
T. Gille
;
D. Tio Castro
;
G. A. M. Hurkx
;
J. G. Lisoni
;
R. Delhougne
;
D. J. Gravesteijn
;
K. De Meyer
;
K. Attenborough
;
D. J. Wouters
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
40.
Program Disturb Phenomenon by DIBL in MLC NAND Flash Device
机译:
通过MLC NAND闪存装置中的DIBL程序干扰现象
作者:
Dongyean Oh
;
Seungchul Lee
;
Changsub Lee
;
Jaihyuk Song
;
Woonkyung Lee
;
Jeonghyuk Choi
会议名称:
《Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop》
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2008年
关键词:
DIBL (Drain-induced barrier lowering);
Short channel effect;
Local self-boosting;
Program Disturb;
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