スピントロニクス素子材料としての高機能トンネル磁気抵抗素子の開発

摘要

強磁性トンネル接合の示すトンネル磁気抗効果（TMR効果）は、スピントロニクスデバイスを実現するために欠かせない現象である．特に近年のハードディスクの高密度化や、MRAM(磁気ランダムメモリ）の実現は、TMR効果の大幅な特性向上によるものである。現在では、次世代MRAMであるSTT-RAMやスピントロニクスロジック素子の実現に向けて精力的な研究が行われている。