ナノスピントロニクス素子の展開: トンネル磁気抵抗素子を中心として

摘要

トランジスタに代表される半導体電子デバイスは，電荷の流れを制御することで様々な機能を創出してきた．これに対し，磁性材料にエレクトロニクス分野の強みである微細加工技術を生かすことで，これまでにない新たなデバイス創成を目指す分野は「スピントロニクス」と呼ばれ近年注目を集めている．スピントロニクスが形成される発端となったのが，1988年の巨大磁気抵抗（GMR：Giant Magnetoresistance）効果の発見である．