机译:(100)-Si / SiO_2 / HfO_2 / TiN栅堆叠中界面缺陷的表征和钝化
机译:H_2 / N_2退火对Si(100)/ SiO_2 / HfO_2 / TiN栅堆叠中界面缺陷密度的影响
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:(100)Si / SiO {sub} x / hfo {sub} 2 / tin系统中的电源活动界面缺陷:原点,不稳定性和钝化
机译:基本了解,表征,钝化和吸收硅中的电活性缺陷。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响