Charge; Inversion Layer Mobility; Hafnium Oxide Stacks;
机译:使用氮化硅/二氧化ha堆叠作为隧道电介质,将锗的渗透,纳米晶体的形成,电荷存储以及在三层存储结构中的保留最小化
机译:具有原子层沉积生长的二氧化ha和等离子体合成的界面层的锗/金属氧化物栅堆叠的电性能
机译:高度稳定的铪 - 锡 - 氧化锌薄膜晶体管,具有堆叠双层有源层
机译:氧化铪堆中电荷和反转层迁移率研究
机译:高k栅极电介质的反应:在ha,锆,钇和镧基电介质以及二氧化ha原子层沉积的原位红外结果方面的研究。
机译:NEXAFS研究电阻切换过程中Al /铟锡氧化物/ TiO2堆中有源层的电子和原子结构
机译:使用具有富含Si氮化物和氧 - 氮化物的金属氧化物 - 氮化物氧化物 - 氧化物和氧 - 氮化物作为堆叠电荷捕获层的电荷改善非挥发性辐射传感器
机译:辐射诱导的再氧化氮化物mOsFET的反转层迁移率的增加