ASYMMETRIC DISTRIBUTION; CHARGE TRAP; HfO2-BASED HIGH-K GATE DIELECTRICS;
机译:与高k栅极电介质堆叠的击穿有关的电荷俘获和电介质弛豫
机译:基于石墨纳米晶体作为电荷俘获元素和高k Ta2O5作为受控栅介质的高性能有机纳米浮栅存储器件
机译:高k栅极介电堆叠中的电荷捕获和折叠:重离子辐射的影响
机译:基于HFO2高k栅极电介质的电荷阱的不对称分布
机译:高k电介质的电荷陷阱闪存。
机译:高k高分子栅介质中氢键限制偶极子紊乱对OFET中载流子传输的影响
机译:高k复合材料与si的介电常数和导带相对水平在提高电荷俘获存储器件存储性能中的作用