OFET; polar dielectric; hydrogen bond; dipolar disorder; energy disorder; charge carrier mobility;
机译:使用高k P(VDF-TrFE)栅极电介质和聚酰亚胺电荷存储层的非易失性柔性OFET存储器件的低压操作
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:紫外线辐照介电界面改性:一种控制OFET载流子传输特性的新方法
机译:具有原子层沉积的高k电介质的III-V沟道MOS器件:接口和载流子传输研究
机译:利用超薄高k栅极介电层增强黑磷晶体管载流子传输的接口工程
机译:氢键对大k聚合物栅极电介质的影响对偶极紊乱对OFET电荷载流子的影响