III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; numerical analysis; optical design techniques; optoelectronic devices; quantum well lasers; Crosslight Software; GaAs-AlGaAs; GaAs-AlGaAs quantum well laser diode; LASTIP software; MQW optoelectronic devi;
机译:在(Al)GaInSb组成渐变的变质缓冲层上生长的3μm二极管激光器
机译:紫外准分子激光辅助将非晶氢化硅/锗双分子层修饰成梯度外延异质结构的数值模拟
机译:n型调制掺杂势垒和线性梯度组成的GalnAsP中间层对1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱激光二极管的影响
机译:量子阱激光器有源层成分分级的数值模拟
机译:THz量子级联激光器:基于GaN的有源区的仿真和集成波导探头的制造。
机译:利用数值模拟研究InGaN双量子阱蓝激光二极管的异常温度特性
机译:GaN / alGaN多量子阱激光二极管有源层结构优化的数值研究
机译:在(al)GaInsb组成梯度变质缓冲层上生长的3微米二极管激光器。