4H-SiC; MOSFET; Nanoscale; electrical characterization;
机译:SIO_2 / SIC MOSFET接口陷阱通过纳米级分析和瞬态电流和电容测量探测
机译:通过横向SiO_2 / 4H-SiC MOSFET的瞬态电容测量探测氧化物陷阱
机译:通过在各种温度下的瞬态电容测量来估算SiO_2 / SiC金属-氧化物-半导体界面处的近界面氧化物陷阱陷阱密度
机译:SiO_2 / SiC MOSFET接口陷阱通过纳米级分析和瞬态电流和电容测量探测
机译:使用电流传输和瞬态电容测量来表征Nb / Si界面上的电活性缺陷
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:通过瞬态电容测量和原子分辨率化学分析探测SiO2 / 4H-SIC界面的电子捕获